【摘 要】
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以高纯(99.9999%)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P0.5%配料,采用改进的单温区合成法和分级冷却技术合成出单相、致密的ZnGeP2多晶原料,实现了富余P与合成产物有效分离,
【机 构】
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中国民用航空飞行学院研究生处,广汉,618307
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以高纯(99.9999%)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P0.5%配料,采用改进的单温区合成法和分级冷却技术合成出单相、致密的ZnGeP2多晶原料,实现了富余P与合成产物有效分离,并对反应机理进行了讨论.新合成方法安瓿制作简单,装料、抽真空方便,克服了传统两温区法装料、抽真空操作困难的问题.经X射线衍射和EDS成分分析,结果表明:采用改进的单温区法合成的ZnGeP2多晶原料纯度高,元素原子比接近ZnGeP2的理想化学计量比,为生长高质量单晶体提供了优质的原料保障.
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