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通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计,初步构造出离子注入的分布图像,通过与实验结果比较,进一步完善模型.选用高斯与半高斯混合模型,得到了与实验结果更吻合的模拟方案.从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管(VDCFET)离子注入的最佳条件,并研制了性能良好的VDCFET.