溅射Cu/In叠层预置膜再硒化法制备CuInSe_2薄膜

来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：asd03071128

【摘要】

：

采用Cu、In双靶，低功率直流磁控溅射的方法沉积Cu-In双层预置膜，然后采用固态源硒化法生成CuInSe2（CIS）薄膜。采用SEM和EDX观察和分析薄膜的表面形貌与成分，用XRD表征薄膜的组织结

【作者】

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李健朱洁

【机构】

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北京科技大学新金属材料国家重点实验室

【出处】

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太阳能学报

【发表日期】

：

2008年3期

【关键词】

：

磁控溅射 Cu-In双层膜溅射顺序 CIS膜 co-sputtering Cu-In double-layer films sputtering sequen

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采用Cu、In双靶，低功率直流磁控溅射的方法沉积Cu-In双层预置膜，然后采用固态源硒化法生成CuInSe2（CIS）薄膜。采用SEM和EDX观察和分析薄膜的表面形貌与成分，用XRD表征薄膜的组织结构。重点分析了不同衬底，不同铜、铟溅射顺序对Cu-In双层预置膜与CuInSe2半导体薄膜成分、形貌和相结构的影响，分析了不同溅射顺序下薄膜的生长机制。以镀Mo玻璃为衬底生长的薄膜具有更理想的形貌；在Cu-In膜制备过程中采用先溅射Cu后溅射In的沉积顺序，能有效地利用元素In润湿能力强的特点，使Cu、In充分

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