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本文介绍了一种用于全并行(闪烁型)A/D转换器的电压比较器的设计,并对闩锁比较级的设计作了具体分析。该电路具有高频、高增益和低功耗等特点。采用氧化物隔离双极工艺,最小特征尺寸为3μm,晶体管的f_T为3.5GHz。该比较器满足S10214位并行A/D转换器的指标要求。
全并行A／D转换器中电压比较器的设计
【摘 要】
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本文介绍了一种用于全并行(闪烁型)A/D转换器的电压比较器的设计,并对闩锁比较级的设计作了具体分析。该电路具有高频、高增益和低功耗等特点。采用氧化物隔离双极工艺,最小
【机 构】
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机电部第24研究所重庆永川632167
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1992年4期
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