亚微米器件相关论文
该文报导了用电子束直写研制亚微米器件的结果，研究人员针对不同的电子束机型，采用了不同的电子束曝光工艺（包括抗蚀剂工艺、曝光工艺......
首先,分析了集成电路虚拟制造技术,对传统的集成电路制造系统和集成电路虚拟制造系统确定最佳工艺条件的方法进行了对比.介绍了集......
该文报导了用电子束直写研制亚微米器件的结果，研究人员针对不同的电子束机型，采用了不同的电子束曝光工艺（包括抗蚀剂工艺、曝光工艺......
有机薄膜晶体管(OTFT)是有机集成电路的基本单元器件，而有机集成电路是实现低成本、柔性、便携、大面积电子产品的基础。为了把有机......
同单路光接收／发送电路系统相比，采用单片集成的多路交叉互连接收／发送系统可实现大容量信息交换和高度复杂的信息处理。给出了与１０×１０阵......
本文对半导体器件的数值模拟进行了分析，并对器件模拟软件系统的设计进行了讨论．针对深亚微米的ＢＪＴ， ＭＯＳＦＥＴ以及异质结晶体管ＨＢＴ的模拟，我们采用面......
同单路光接收／发送电路系统相比，采用单片集成的多路交叉互连接收／发送系统可实现大容量信息交换和高度复杂的信息处理。给出了与１０......
旋转电子学寻求的是如何利用电子的旋转,除了它们的电荷之外,还可以制作计算、通信和数据存储用的特大功能器件.......
论述了深亚微Ｏ主ＭＯＳ器件模型ＢＳＩＭ２。从强反型区、业阈区、过渡区及输出电阻等几方面，以物理要领为基础进行了较详细分析，并与国内１μｍ工艺的ｎＭＯＳ测量......
本文是继用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ法模拟ＧａＡｓ亚微米器件后，进一步用该法模拟Ｓｉ亚微米ＭＥＳＦＥＴ。文中除了处理Ｓｉ和ＧａＡｓ散射机制不同外，在模拟方法上有重要进步：用ＦＦＴ代替迭代法，加速......
由于亚微米器件的短沟道效应，引起器件的阈值电压下降。本文的研究表明，对器件的沟道采取多次杂注入掺杂技术，可有效地克服短沟道效应......
本文介绍了亚微米器件结深和杂质分布的测量方法，叙述了扩展电阻法测量结深的原理，并对其测量结果进行了分析和讨论。......
主要从光刻隔离，金属互连线三个方面讨论了亚微米器件所面临的挑战及其发展趋势。...
要建造功能比现有的更强大的超级计算机、新型雷达，或在微波段以上甚高频率下工作的通讯卫星，就需要超高速的半导体器件．亚微米器件就......
本文综述了近十年来半导体器件模拟的发展概况，阐述了漂移扩散模型（ＤＤＭ）、流体动力学模型（ＨＤＭ）、玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、全量子模型（ＱＴＭ）的各自适用范围，概括......
简要介绍了集成电路虚拟工厂系统Taurus Workbench.对亚微米n沟MOS工艺的特点进行了分析.在Taurus Workbench环境下进行亚微米n沟M......
大规模集成电路(VLSI)使亚微米特征尺寸的大面积集成电路制造以及集成数百万个器件在一芯片上成为可能。然而，缺陷的存在致使电路版......
