【摘 要】
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本文介绍了铝栅N沟E/D MOS电路中双介质栅MNOS耗尽型负载器件的制作及其电特性的控制。研究了双层栅介质厚度和Si3N4生长条件对耗尽型负载器件在零栅压时的漏源电流I0的影响
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本文介绍了铝栅N沟E/D MOS电路中双介质栅MNOS耗尽型负载器件的制作及其电特性的控制。研究了双层栅介质厚度和Si3N4生长条件对耗尽型负载器件在零栅压时的漏源电流I0的影响。并发现,负载器件（?）强烈依赖于SiO2膜厚度,它随SiO2厚度增加而减小,而与Si3N4淀积条件及其厚度关系不显著。因此,严格控制SiO2膜厚度以实现负载器件所要求的（?）值是极为重要的。夹断电压VTL及衬底偏置效应得到了应有的控制并满足了电路要求。耗尽型负载管和增强型驱动管可直接集成,构成了铝栅N沟E/D MAOS/MNOS
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