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采用第一性原理平面波超软赝势，计算了纤锌矿ZnO和不同浓度的V掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度。计算表明，V的掺杂导致ZnO晶格发生了微小膨胀，禁带宽度变窄，体系引入的杂质能级靠近导带底，费米能级进入了导带并且穿插在杂质能级中，自旋态密度分布具有不对称性，自旋向上的电子数比自旋向下的电子数多，对态密度进行积分后发现V掺杂ZnO体系表现出净磁矩，具有磁性。当V掺杂后，V-3d态电子与O-2p态电子的态密度分布大部分重合，形成了pd杂化。