【摘 要】
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利用射频磁控溅射方法, 在n型(100)Si(0.008～0.02 Ω·m)基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构均为六角BN(h-BN)相. 在超高真空系统中测量了BN薄膜
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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利用射频磁控溅射方法, 在n型(100)Si(0.008～0.02 Ω·m)基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构均为六角BN(h-BN)相. 在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性, 发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大, 阈值电场随基底偏压的增加先增加后减小. 基底偏压为-140 V时BN薄膜样品场发射特性要好于其他样品, 阈值电场低于8 V/μm. F～N曲线表明, 在外加电场的作用下, 电子隧穿BN薄膜表面势垒发射到真空.
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