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嵌于多孔硅的C60的光致发光
嵌于多孔硅的C60的光致发光
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:augustS
【摘 要】
:
在室温下观察到嵌于多孔硅中的C60分子有强可见光发射。除观察到了多晶状态的C60分子峰位在730nm的特征谱外,还检测到了与多孔硅毗连或偶联的C60分子的发射光谱,其主峰分别出现在620nm和630nm。嵌于多孔
【作 者】
:
阎锋
鲍希茂
吴晓薇
陈慧兰
【机 构】
:
南京大学物理系和固体物理研究所,南京大学配位化学国家重点实验室
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1995年12期
【关键词】
:
多孔硅
碳60
光致发光
半导体材料
CarbonLuminescence
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在室温下观察到嵌于多孔硅中的C60分子有强可见光发射。除观察到了多晶状态的C60分子峰位在730nm的特征谱外,还检测到了与多孔硅毗连或偶联的C60分子的发射光谱,其主峰分别出现在620nm和630nm。嵌于多孔硅的C60的发光强度增强可用激发载流子由多孔硅向C60分子的转移效应解释。
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