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单壁碳纳米管存在非常有发展前景的电子输运性质。碳纳米管应用于制造场效应晶体管，可获得比硅基器件更高的驱动电流和跨导。然而一个主要悬而未决的问题就是接触电阻对传输性能的影响。这方面已有大量的实验和理论工作，然而实验工作只是局限于测量以源一漏间的电压和门电压为函数的电流，却没有提供对碳纳米管掺杂行为带来的电子空间扩展方面的信息。