【摘 要】
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根据化学气相沉积（CVD）工艺制备Si C陶瓷涂层的工艺特点和典型异形构件的结构特点,建立了异形构件表面化学气相沉积Si C涂层的数学模型。利用该模型,对CVD法在典型异形表面制备
【机 构】
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长安大学材料科学与工程学院,西北工业大学材料学院
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根据化学气相沉积（CVD）工艺制备Si C陶瓷涂层的工艺特点和典型异形构件的结构特点,建立了异形构件表面化学气相沉积Si C涂层的数学模型。利用该模型,对CVD法在典型异形表面制备Si C涂层进行了数值计算和分析。计算结果显示,带有斜面的构件对CVD Si C沉积过程有显著影响,在反应器大小允许的情况下,构件放置时,斜面与水平面的夹角越小越好,并尽可能将构件长的一面与水平面平行,这样有利于沉积的涂层均匀。此外,对于带有台阶的构件来说,正放的构件表面浓度大于倒放的构件,而浓度梯度则小于倒放的构件。因此,在实
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