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本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了不同的注入条件和退火条件对表面Si单晶层的载流子度和迁移率的影响。
SIMOX薄膜材料的电学性能
【摘 要】
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本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了不同的注入条件和
【出 处】
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半导体杂志
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目!(F0 4 0 10 5),,北京自然科学基金的资助项目!(4 952 0 0 2 )
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