SIMOX相关论文
机械式压力检测装置无法满足在高温、高压和振动冲击等恶劣环境下压力检测的使用要求;采用了耐高温压阻式压力传感器作为压力枪测......
本文对SIMOXSOI材料的顶层硅和SiO2埋层的厚度及均匀性进行了分析计算,并对注入过程中影响注入能量和剂量的参数进行了改进和控制,......
SOI材料中顶层硅的质量直接影响到制做的器件性能.本文对顶层硅中出现的位错现象进行了分析,并结合实验,提出了相应的解决措施.......
本文针对石油化工领域高温下压力测量的要求,设计了压阻式压力传感器硅杯式芯片版图,采用SIMOX(separationbyimplantedoxygen)技术......
本文报道了薄膜ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ材料上全耗尽ＭＯＳＦＥＴ的制备情况，并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较．实验结果表明，全耗尽器件完全......
在室温～２００℃的不同温度下测量了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇｅｎ）的Ｐ沟，Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系，并同相应的体硅器件作了比......
对不同制备工艺的SIMOX样品，用Raman散射法作了应力测量和比较．结果显示，在1300℃、6小时的退火条件下，整片单次注入／退火与三次注入／退......
本文介绍了可用于高速、高性能抗辐照专用集成电路设计的１．５μｍ薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列母版的研制．较为详细地讨论了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列基本阵列单元、输入......
用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈......
本文采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接......
本文描述硅光波导技术的重大突破：（１）用ＳＩＭＯＸ技术代替传统的硅外延型光波导，解决了衬底吸收光波．从而显著改善了光波导的传播损耗．（２）在理论及实验......
在SIMOX材料的背面成功地制备了多孔硅层,再在正面故意注入1×1015cm-2剂量的铜杂质。经900℃退火,二次离子质谱（SIMS）测试表明钢杂......
对热载流子导致的 SIMOX衬底上的部分耗尽 SOI NMOSFET’s的栅氧化层击穿进行了系统研究 .对三种典型的热载流子应力条件造成的器......
介绍了采用全剂量SI MOX SOI材料制备的0·8μmSOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性,该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的......
为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试......
设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET.该器件具有良好的直流和射频特性:输出曲线平滑,没有明显翘曲(kink)......
对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料，注入不同剂量的Ｆ＋并退火，其电容经（６０）Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ＋的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层......
本文报道了在SIMOX(Separation by IMPlanted Oxygen)薄膜材料上制备钛硅化物的研究结果。研究表明,不同厚度的SIMOX薄膜材料上都......
本文描述了在埋层氧化物上制备超薄Si膜的离子注入技术,并概述了这种优质材料在器件设计中的应用。
This article describes ion ......
在外延气氛中对SIMOX/SOI样品作了不同条件的烘烤.RBS分析表明,高温外延气氛对SIMOX/SOI结构有严重的损伤,主要表现为H_2对表层硅......
SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了......
日本三菱电机公司已用薄膜SIMOX衬底研制成适用于0．5μm级以下的下一代门阵列的新结构。在SIMOX衬底上采用场屏蔽分离结构制作固定......
在ＳＩＭＯＸ结构中辐照诱生ＥＳＲ有源缺陷＝Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ－ｉｎｄｕｃｅｄＥＳＲａｃｔｉｖｅｄｅｆｅｃｔｓｉｎＳＩＭＯＸｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊．英］／Ｓｔｅｓｍａｎ，Ａ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｎｕｃｌ．Ｓｃｉ．－１９９０．３７（６）．－２０...
Radiation induced ESR active defects in SIMOX structure = Irradiation-inducedESRact......
单次和多次注入ＳＩＭＯＸ与键合减薄背面埋氧化物特性的比较＝ＡｃｏｍｐａｒｓｉｏｎｏｆｂｕｒｉｅｄｏｘｉｄｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｌｓｏｆｓｉｎｇｌｅａｎｄｍｕｌｔｉｐｌｅｉｍｐｌａｎｔＳＩＭＯＸａｎｄｂｏｎｄａｎｄｅｔｃｈｂａｃｋｗａｆｅｒ［刊，...
Single and multiple injection of SIMOX and Bonded thinning back bur......
本文简要地介绍了３μｍＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列的设计和制作技术。利用３００门门阵列母片成功地实现了容错计算机系统专用总线输出选择逻辑电路ＳＥＬ。其性能达到......
本文报道了一种形成ＳＩＭＯＸ结构的等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）的新技术．与传统的离子注入相比，这种新技术具有高离子束流，大面积离子注入，极短的注入......
本文对ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ全耗尽Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ中单晶体管Ｌａｔｃｈ状态对器件性能的影响进行了实验研究．实验结果表明，短时间的Ｌａｔｃｈ条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生......
本文描述注氧机在制作SOI(SIM0X)材料时,注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响,结合SIMS测试结果,从光路结构、电器参数、靶室等......
SIMOX是一种新型的SOI材料，用它制作的CMOS电路实现了全介质隔离，具有无闭锁、速度快、抗辐照等优点。该文采用CMOS/SIMOX工艺研制1M......
高温压力传感器是指其工作温度高于125℃的压力传感器。高温压力传感器以其优良的高温工作能力在压力传感器中一直受到高度重视，是......
该文采有COMOS/SIMOX工艺研制1Msample/s八位A/D转换器.该A/D转换器采用半闪烁型结构,由两个四位全并行A/D转换器实现八位转换.电......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用CMOS/SIMOX工艺制作1Msam ple/s 8 位A/D转换器。该A/D转换器采用半闪烁型结构,由两个4 位全并行A/D转换器实现8 位转换。电路......
利用光致发光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)检测了不同退火条件下处理的SIMOX材料的顶层硅膜．实验结果显示，SIMOX顶层硅膜的PL谱有三个......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150 nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但......
为了提高SIMOX(separation-by-implanted-oxygen)SOI(silicon-on-insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度,埋氧层中分别注入......
研究了沟道热载流子应力所引起的 SOI NMOSFET的损伤 .发现在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )和高栅压应力(Vg≈ Vd)条件下 ,器件损伤表......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
y layer in Si was investigated by cross section transmission electron microscopy and auger electron spectroscopy....
