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利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术成功生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱材料,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达2.36 W,中心激射波长为944 nm,斜率效率高达0.96 W/A,阈值电流密度为177.8 A/cm2.该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源.