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介绍了绿色,红色发光GaP外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光和蓝光激发方式,在室温下,有效地观测了LED-GaP:N的多峰PL谱。根据对上述两种发光GaP外延晶片的相对光强与金属杂质Fe,Cu,Ni和Cr紫外荧光谱的实测数据的相关性,讨论了LED-GaP外延晶片的工艺质量优化和洁净度的问题。