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调Q光纤激光器在光纤传感、激光雷达、激光加工和光纤通信等众多方面有着广泛的应用.半导体量子点(QD)由于具有较高的损伤阈值和宽光谱特性,是一种优良的可饱和吸收体(SA),但是目前制备发光中心波长为1 550 nm的QD SA依然是一个巨大的挑战.通过在分子束外延(MBE)生长InAs QD过程中加入两次间断制备了1 550 nm InAs/GaAs量子点半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM),并通过构建光纤直线腔,研制出发光中心波长约为1 550 nm的被动调Q光纤激光器.该激光器最大输出功率约为2.5 mW,实现了55 kHz的重复频率,同时达到了1.45 μs的脉冲宽度和45.36 nJ的单脉冲能量,表现出了InAs/GaAs QD材料在1 550 nm调Q光纤激光器应用中的巨大潜力.