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分析了MESFET和PHEMT大信号建模的现状,提出了在DC和脉冲两种状态下通用于MESFET和PHEMT的有确I-V模型;提出了具有二维C-V模型精度的一维C-V模型格负载线S参数测量提取方法,提出了采用改进Cold FET测量与提取技术进行管壳封装器件建模的方法。本文的大信号模型具有很好的数值收敛性和标准的等效电路。提出了的模型精确地模拟了器件的DC I-V、脉冲I-V、偏置样在S参数、C-V