【摘 要】
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研究了不同腔面钝化方法对980 nm渐变折射率波导结构InGaAs/AlGaAs半导体激光器输出激光功率的影响。将980 nm半导体激光器管芯前后腔面不蒸镀钝化膜与蒸镀Si钝化膜和蒸镀ZnS
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金(61107054);吉林省科技发展计划(201201124)资助项目
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研究了不同腔面钝化方法对980 nm渐变折射率波导结构InGaAs/AlGaAs半导体激光器输出激光功率的影响。将980 nm半导体激光器管芯前后腔面不蒸镀钝化膜与蒸镀Si钝化膜和蒸镀ZnSe钝化膜的方法进行了对比。结果表明,蒸镀ZnSe钝化膜比蒸镀Si钝化膜的半导体激光器输出光功率提高了11%,比不蒸镀钝化膜的半导体激光器输出激光功率提高了42%。不蒸镀钝化膜的半导体激光器的失效电流为4.1 A,蒸镀Si钝化膜的半导体激光器的失效电流为5.1 A,蒸镀ZnSe钝化膜的半导体激光器的失效电流为5.6 A。
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