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按照一种新的双栅器件设计理论,采用阶梯栅和两栅间嵌入虚接地点的结构,使GaAs双栅FET获得了优良的噪声和增益性能。二栅在管壳内通过电容射频接地,有助于稳定性的改善。器件最好水平为f<sub>0</sub>:12GHz,N<sub>F</sub>:2.42dB,G<sub>?</sub>:13.89dB。该器件设计合理,工艺经过优化,使器件具有较高的成品率及优品率。