Semiconduct相关论文
采用溶剂热法制备了三维花状CeO2/TiO2异质结光催化剂,然后以甲基橙(MO)为模拟有机污染物,在氙灯照射下考察了其光催化活性.结果 ......
模式和高速度的调整特征与产量波导连接了到一个顶点的 16 m 和 2-m-wide 的方面长度为 microsquare 激光被调查。纵、横向的模式......
Optical frequency combs emerge as a promising technology that enables highly sensitive,near-real-time spectroscopy with ......
...
逆向外包作为发展中国家嵌入全球价值链高端的一种新兴战略行为正逐渐兴起。以2012—2016年发生逆向外包行为的中国半导体上市公司......
纳米TiO2在紫外光的照射下可激发产生电子空穴对，从而引发一系列有意义的氧化还原反应。利用该特性，纳米TiO2可用于降解结构稳定的有......
一种应用波长原理的光纤测温新技术 ,这种波长技术是基于某些半导体 (如GaAs)的光学吸收限产生的频移 ,半导体小棱镜粘在远离光纤......
介绍在陶瓷地砖上用最简单实用的化学热沉积工艺制备出成本低廉的半导体电热膜，研制新型建筑装修材料－“恒温地面”，同时通过大量的实......
用磁控溅射方法制备Fe／Si薄膜，采用卢瑟福背散射（RBS）技术研究了退火过程中的相变过程和氧化．结果表明：未退火的Fe／Si薄膜界面清晰，873K退......
The PN junction photodiode is fabricated with high resistivity P-type silicon(ρ ＝12000Ω·cm).The experimental C-Vcu......
利用时间分辨光谱研究了（AlxGa1-x）0．51In0．49P（x＝0．29）合 金的时间衰退过程，观察到载流子的转移过程和PL谱峰蓝移现象。这和变温发光谱中谱......
报道了中心波长在674 nm的周期性电极窄条形单纵模半导体激光器。其制作工艺简单,仅使用i线光刻技术和普通的刻蚀技术制作的周期性......
目的比较支撑喉镜下半导体激光和常规手术治疗T1期声门癌的临床效果.方法对10例确诊为T1期声门癌的患者(激光组),在支撑喉镜下用半......
为了监测半导体前段制造厂的机台在生产过程中的关键参数，提出了一种基于无线传感器网络和以太网的半导体机台数据采集方案，研制了传......
研究了大厂锡石多金属矿、凡口铅锌矿和武山铜矿伴生黄铁矿的物性特征,考察了它们在丁黄药体系中的可浮性及CaO对它们的抑制作用。......
提出了一种基于单片机技术的光纤半导体温度传感器。利用GaAs晶体对光的吸收率与温度所存在的确定关系进行测温,并采用单片机进行......
半导体纳米材料在光、电、磁、催化等方面具有不同于本体的一系列特性.在纳米材料及其器件制备中,聚合物有着重要的应用.它不仅可......
AgInSe2 crystals were grown by Bridgman technique. The crystals were identified structurally by X-ray diffraction techni......
碳的加入改进了锗硅材料的性能，同时也为半导体器件的研制开发创造了条件，增加了硅基器件设计的灵活性。本文介绍了ＳｉＧｅＣ材料在硅基器件方......
简述了近年来新发展的几种纳米结构导电聚合物和半导体的构建方法，并对所制备的纳米结构导电聚合物和半导体进行表征，发现一些如光电......
本文研究了注入杂质对预非晶化硅的射程端缺陷的影响.提出:在固相外延时,来自非晶层内的空位与来自射程端的硅间隙原子形成相向扩......
本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部分。......
阐明了在研究半导体光放大器对光脉冲放大这一动态过程中通常采用常数载流子寿命近似这一处理方法是不合理的.通过考虑放大器中载......
本文首先简要介绍异质结双极晶体管(HBT)的结构和特点,接着评述HBT工艺技术发展现状、单元设计和目前制作的功率HBT的性能。......
给出了激光损伤星载单元探测器的技术途径和估算方法,并以InSb探测器材料为例,初步分析了波长1.315μm的激光对空间卫星探测器可能......
用半导体桥（Semiconductor Bridge,SCB）研究了点燃两种不同粒度（细化5～15μm和结晶300μm）的叠氮化铅（LeadAzide,LA）所需的电压、电流和光......
Conventional test of the peak wavelength of a laser used to be applied immediately after a device is injected current. H......
...
为了研究铜屏蔽层绕制方式对绝缘管母运行安全的影响,针对某地区110k V变电站35k V侧绝缘管母出现的外护套烧蚀击穿故障案例进行了......
