【摘 要】
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利用H在ZnO中作为浅施主杂质的特性,研究了H掺杂对ZnO∶ Al透明导电薄膜特性的影响.通过降低ZnO∶ Al中Al的含量并同时引入H掺杂,解决了透明导电薄膜中高导电性与高透过率之
【机 构】
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中国科学院深圳先进技术研究院,中国科学院香港中文大学深圳先进集成技术研究所光伏太阳能研究中心,中国科学技术大学纳米科学技术学院
【基金项目】
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国家自然科学基金，深圳市科技创新委项目
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利用H在ZnO中作为浅施主杂质的特性,研究了H掺杂对ZnO∶ Al透明导电薄膜特性的影响.通过降低ZnO∶ Al中Al的含量并同时引入H掺杂,解决了透明导电薄膜中高导电性与高透过率之间的矛盾.H的掺杂可以显著降低ZnO基透明导电薄膜的电阻率,这是由于H一方面作为施主可以提供电子从而提高了自由载流子浓度;另一方面与ZnO晶界中的O-结合降低了晶界势垒,提高了载流子迁移率.利用H掺杂,可以在Al掺杂量降低10倍的情况下,仍然能获得低电阻率(6.3 ×10-4Ω·cm)的透明导电薄膜,同时其
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