【摘 要】
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采用kp微扰理论，基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论，对（101）晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研究．结果表明：双轴应变Si（101）材料高对称晶向空穴
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
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采用kp微扰理论，基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论，对（101）晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研究．结果表明：双轴应变Si（101）材料高对称晶向空穴迁移率在应力作用下均有明显增强，其空穴统观迁移率与未应变Si材料相比，最多提高约2倍．文中所得量化模型可为应变Si材料物理的深入理解及应变材料、器件的研究与设计提供有价值的参考．
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