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窄禁带碲镉汞（HgCdTe）为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于弱p型材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级,更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法区分迁移率较低性能较差的n型材料和p型材料。通过变温变磁场的霍尔测试对两种碲镉汞材料的磁输运特性进行了测试区分。另外对由弱p型材料制备的陷阱模式光导器件的工作机理进行了初步分析,解释了这种器件相对于传统器件所表现出的独特优势。