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分别在n-Si（100）和SiO2衬底上用离子束溅射法淀积SiGe薄膜，用俄歇电子谱测定薄膜Ge含量为15％～16％，对样品进行常规炉退火以考察退火温度和时间对薄膜结晶度的影响，采用X射线衍射确定薄膜物相，发现在同样退火条件下，SiGe在n-Si衬底上比SiO2上有更高的结晶度，通过曲线拟合，得到平均晶粒尺寸与退火温度和时间的依赖关系分别是自然指数和近线性的抛物线函数，推断出溅射SiGe薄膜的热退火结晶可能是晶粒生长控制过程。