SiC元器件领先投入实际应用

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在面向后硅时代的研发中,SiC元器件比GaN元器件领先一步投入实际应用(见图A-2)。英飞凌科技公司已经上市了肖特基势垒二极管,并且在2006年3月又推出功率损耗更少的第二代产品。关于MOS晶体管,日本ROHM公司预定在2006年内开始提供样品。三菱电机公司使用自行开发的MOS晶体管和肖特基势垒二极管构成变频器电路,用于驱动额定功率3.7kW的电动机。并且已经证实,同使用硅元器件时相比,功率损耗大约减少54%。
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