【摘 要】
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利用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了TiNxOy薄膜样品,研究了溅射过程中电压与N2流量之间的迟滞效应,通过X射线衍射(XRD)、UV-Vis分光光度计、四探针电阻仪等测试手段表征
【机 构】
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北京航空航天大学凝聚态物理与材料物理研究中心,北京航空航天大学凝聚态物理与材料物理研究中心,北京航空航天大学凝聚态物理与材料物理研究中心,北京航空航天大学凝聚态物理与材料物理研究中心 北京100083
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利用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了TiNxOy薄膜样品,研究了溅射过程中电压与N2流量之间的迟滞效应,通过X射线衍射(XRD)、UV-Vis分光光度计、四探针电阻仪等测试手段表征了样品的物相、光吸收谱、电阻等性能。结果表明:随着N2含量的提高和薄膜厚度的增加,XRD显示薄膜样品出现明显的衍射峰,吸收光谱向可见光方向展宽至500 nm,电阻随着N2含量的提高呈逐渐下降的趋势。
TiNxOy thin films were prepared on glass substrates by DC magnetron sputtering. The hysteresis effect between the voltage and N2 flow rate during sputtering was studied. The XRD, UV-Vis spectrophotometer, Probe resistance tester and other test methods to characterize the sample phase, light absorption spectrum, resistance and other properties. The results show that with the increase of N2 content and the increase of film thickness, the XRD shows obvious diffraction peaks of the film. The absorption spectrum broadens to 500 nm in the visible light direction, and the resistance decreases gradually with the increase of N2 content.
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