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本文报道了高掺镁富锂铌酸锂晶体的生长。我们选择了最佳的工艺参数,解决了晶体生长中的生长条纹,晶体抗光拆变能力提高两个数量级以上。测量了晶体的倍频转换效率、相位匹配温度、双折射梯度、光电流和光电导。初步探讨了高渗镁富锂酸铌锂晶体的抗光折变机理。
掺镁富锂LiNbO4晶体的生长及其抗光折变效应
【摘 要】
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本文报道了高掺镁富锂铌酸锂晶体的生长。我们选择了最佳的工艺参数,解决了晶体生长中的生长条纹,晶体抗光拆变能力提高两个数量级以上。测量了晶体的倍频转换效率、相位匹配
【机 构】
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哈尔滨工业大学应用化学系,黑龙江科学院技术物理研究所
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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1990年3期
【基金项目】
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国家科学基金
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