【摘 要】
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据西北电讯工程学院在1984年5月报导: 1.在120℃温度应力下,MOS结构的漏电流不仅与电场的大小和时间有关,而且与电场的方向有关.当加负偏压时漏电流变小;加正偏压时漏电流明
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据西北电讯工程学院在1984年5月报导: 1.在120℃温度应力下,MOS结构的漏电流不仅与电场的大小和时间有关,而且与电场的方向有关.当加负偏压时漏电流变小;加正偏压时漏电流明显增加.而不加电场、只有热应力时,漏电流没有显著变化.
According to Northwestern Telecommunication Engineering Institute reported in May 1984: 1. The leakage current of MOS structure is not only related to the size and time of the electric field, but also to the direction of the electric field under the temperature stress of 120 ° C. The leakage current When the positive bias voltage is applied, the leakage current increases obviously, while no electric field is applied, and only the thermal stress does not change significantly.
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