【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，系统地研究了5d过渡金属在γ-TiAl合金中的占位及占位方式，获得了过渡金属掺杂合金体系的形成能、几何结构、电子结构及电荷
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所
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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，系统地研究了5d过渡金属在γ-TiAl合金中的占位及占位方式，获得了过渡金属掺杂合金体系的形成能、几何结构、电子结构及电荷布居值等参数。结果表明：5d过渡金属元素Hf、Ta和w优先占据γ-TiAl合金中的Ti位；Os、Ir、Pt、Au等优先占据Al位；Re则既有占据Ti位的可能，也有占据Al位的可能，但占据Al位的趋势略大。通过对不同元素掺杂体系的能带结构、态密度和电荷布居值的计算和分析，进一步验证了不同过渡金属元素在TiAl合金中的占位规律，解释了5d过渡
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