【摘 要】
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本文通过X射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Si(001)上生长的Ge0.5Si0.5/Si应变层超晶格的结构及完整性，结果表明：在350－550℃的低温生长条件下，可生长出较高
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,复旦大学表面
【基金项目】
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中国科学院上海冶金研究所青年科学基金,国家自然科学基金
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本文通过X射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Si(001)上生长的Ge0.5Si0.5/Si应变层超晶格的结构及完整性，结果表明：在350－550℃的低温生长条件下，可生长出较高质量的超晶格材料，并且在350℃时质量最好，在这些样品的生长过程中界面上产生了不同程度的失配位错，并与生长温度有关。周期厚度有4％以内的波动，层与层之间有轻微的混元，观察到了超晶格卫星衍射峰的分裂现象,并进行了讨论。
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