【摘 要】
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TFDC（Thomas- Fermi-Dimc-Cheng）电子理论的核心思想是“材料研究中,界面边界条件起着十分重要的作用,其边界 条件是电子密度处处连续”. 建立Cu/M 相界面扩散反应的TFDC模型对
【基金项目】
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国家自然科学基金面上项目“相界扩散溶解的TFDC模型”（50371059）
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TFDC（Thomas- Fermi-Dimc-Cheng）电子理论的核心思想是“材料研究中,界面边界条件起着十分重要的作用,其边界 条件是电子密度处处连续”. 建立Cu/M 相界面扩散反应的TFDC模型对于扩散连接工艺中相界面扩散反应的研究具有 重要的意义.文中以Cu-Ni相界面为例,首先依据TFDC电子理论、利用其电子密度处处连续的边界条件,论述了 Cu/M 相界面扩散反应层的形成和生长,然后建立了Cu/Ni相界面扩散反应的TFDC模型.扩散反应层的形成和长大是各相层 界面电子密度连续的结果,二元金属
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