TiN基磁性薄膜的研究

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用射频磁控溅射技术制备了TiN掺Co的薄膜样品.400 ℃真空退火后,振动样品磁强计测量(VSM)表明,样品在室温下具有显著的铁磁性.其饱和磁化强度为2.93×108 A/m,饱和磁场强度约160 kA/m,矫顽力32 kA/m.超导量子干涉仪(SQUID)测量M-T曲线得出其居里温度在360 K以上,X射线衍射实验表明样品具有TiN样品的衍射峰.利用四探针测试仪测量电阻率得出ρ=4.824×10-5 Ω·m.
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