【摘 要】
：
热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段.系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO2/SiO2/Si结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条
【机 构】
：
潍坊学院物理与光电工程学院,山东潍坊261061;中国科学院微电子研究所,北京100029
论文部分内容阅读
热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段.系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO2/SiO2/Si结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条件下Si02/Si和Hf02/Si02界面的界面电荷密度、Hf02的体电荷密度以及Hf02/Si02界面的界面偶极子的数值.研究结果表明,在氨气和氧气氛围中退火会使Hf02/Si02界面的界面电荷密度减小、界面偶极子增加,而Si02/Si界面的界面电荷密度几乎不受退火影响.最后研究了不同退火氛围对电容平带电压的影响,发现两种不同的退火条件都会导致TiN/Hf02/Si02/Si电容结构平带电压的正向漂移,基于退火对其电荷分布的影响研究,此正向漂移主要来源于退火导致的Hf02/Si02界面的界面偶极子的增加.
其他文献
1990年Wickham Fitzpatrick首先提出"微侵袭外科"的概念.1992年德国学者Bauer和Hellwig进一步提出"微侵袭神经外科"(minimally invasiveneurosurgery,MINS)的称谓.MINS的本意是应用微侵袭技术以较小的创伤治疗神经外科疾病,达到既安全有效地去除病患、又最大程度保护重要结构功能的目的.MINS是现代神经外科发展史上的第二个里程碑,是
介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路.基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了器件的总栅宽.根据GaN HEMT芯片阻抗,器件内
ZnO是一种带隙宽度约为3.0 eV的Ⅱ-Ⅵ族n型半导体材料,其具有优异的光学性能、压电性能和电化学性能,广泛应用于传感器、太阳电池和催化净化等领域.介绍了目前纳米ZnO的主要
2008年8月24日,著名作家、《谁是最可爱的人》的作者魏巍,因病在北京去世,走完了他88年的人生旅程。遵魏巍生前意愿,他的骨灰被安放在河北省易县革命烈士陵园,与狼牙山五壮士
１９９５年９月份全国疾病监测点３５种法定传染病疫情动态简介１９９５年９月份全国疾病监测点３５种法定传染病疫情动态简介...
September 1995 National Disease Surveillance Point 35 kinds of lega