纳米ZnO阵列的制备及荧光特性

来源 :辽宁师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:fanfan19860303
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使用结构简单的恒温管式炉设备,以ZnO及无定形碳粉末为原料,高纯Ar气为载气,在单晶硅和Al2O3基底上,用化学气相沉积技术,在600~1100℃范围内翻备了择优取向的纳米ZnO晶体阵列.用扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱(PL)等方法对ZnO薄膜阵列的结构和性能进行了表征,讨论了生长条件对纳米ZnO晶体阵列性能的影响.
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