【摘 要】
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为了获得高性能的微波噪声抑制器,采用射频磁控溅射工艺制备了FeCoB基薄膜微波噪声抑制器,并用微带线法测试了其传导噪声抑制特性.研究了薄膜噪声抑制器的工艺参数和几何尺寸
【机 构】
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重庆大学光电工程学院传感器与仪器研究中心
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为了获得高性能的微波噪声抑制器,采用射频磁控溅射工艺制备了FeCoB基薄膜微波噪声抑制器,并用微带线法测试了其传导噪声抑制特性.研究了薄膜噪声抑制器的工艺参数和几何尺寸对其传导噪声抑制特性的影响.结果表明,合适的低氩气压有利于其噪声抑制性能的提高;通过控制FeCoB基薄膜和SiO2 介质层的几何尺寸,可以实现对其微波噪声抑制性能的连续可调,这主要归因于软磁薄膜的铁磁共振损耗和涡流损耗.制备的FeCoNiB薄膜（长25mm,宽10mm,厚250nm）微波噪声抑制器在3.4GHz时的信号传输功率损耗比Plos
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