【摘 要】
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用固相反应法制备了Ba0.5Sr0.5Ti03靶材,采用在LaA103 (100)衬底上PLD法制备Ba0.5Sr0.5Ti03薄膜的最佳条件(村底温度760℃,生长氧压5Pa,脉冲激光能量350mj,频率5Hz,不退火直
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用固相反应法制备了Ba0.5Sr0.5Ti03靶材,采用在LaA103 (100)衬底上PLD法制备Ba0.5Sr0.5Ti03薄膜的最佳条件(村底温度760℃,生长氧压5Pa,脉冲激光能量350mj,频率5Hz,不退火直接降温),利用PLD技术在LaA103 (100),SrTi03 (100),LSAT(1 00)单晶平衬底上制备了Ba0.5Sr0.5Ti03薄膜.通过分析x射线衍射图谱,晶格失配度,单θ摇摆曲线半高宽,表明在三种衬底上薄膜是沿[00I]取向的近外延生长,影响薄膜生长的主要因素并不是村底与品格的失配度,如希望消除失配度对薄膜生长造成的不利影响,我们可以通过优化PLD工艺参数,这在一定程度上是有效的.
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