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利用量子隧穿理论研究了磁性半导体隧道结中自旋输运的偏压影响，分别讨论了自旋注入源是铁磁金属和铁磁半导体两种情况下，磁性半导体隧道单结中自旋注入效率对偏压的依赖关系。数值计算表明，增加偏压对于提高单结的自旋注入效率是有利的，但会降低单结或由两个磁性隧道单结组成的双结的隧道磁阻（TMR）。数值计算还发现对于磁性隧道双结在顺序隧穿和两边势垒对称的情况下成立的关系式TMR=η^2：（η为单结自旋注入效率）在有限偏压下不再成立，这些数值结果与实验一致。