【摘 要】
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基于SOI技术,利用电感耦合等离子体硅深加工,设计制备了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用扇形敏感质量块平板内振动结构。对称
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省微电子机械系统工程技术研究中心,
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基于SOI技术,利用电感耦合等离子体硅深加工,设计制备了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用扇形敏感质量块平板内振动结构。对称的布局方式,有效地消除了灵敏度的交叉干扰,提高了传感器的测量精度。测试系统分析出加速度传感器的灵敏度是1.170μV/g。研究表明该加速度传感器可实现对量程高达25×104g加速度的测量。
Based on the SOI technique, a novel in-plane vibrating high g-value piezoresistive accelerometer was designed and fabricated by deep processing of inductively coupled plasma silicon. The accelerometer includes X-axis and Y-axis units, using a sector-sensitive mass in-plane vibrating structure. Symmetrical layout, effectively eliminating the cross-sensitivity of the sensitivity and improve the measurement accuracy of the sensor. The sensitivity of the accelerometer was 1.170 μV / g as analyzed by the test system. Research shows that the accelerometer can measure up to 25 × 104g acceleration.
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