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从导带、价带和浸润层的能级跃迁出发，采用分段模型对量子点半导体光放大器的增益和自发辐射进行了数值研究．物理模型包括自发辐射行波方程和各能级栽流子与光子数速率方程．经过大量数值计算，得到基态电子占用概率随注入光脉冲的变化，以及增益动态过程（饱和与恢复）和输出光脉冲的时域波形畸变．进一步研究了量子点光放大器自发辐射谱和增益平坦性，结果表明自发辐射功率随输入信号功率增大而减小，引入合适的钳制光，可在20nm带宽内获得小于0．3dB的增益平坦度，或者40nm带宽内小于1．0dB．