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分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模犁,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.
表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响
【摘 要】
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分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模犁,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应本模型具有计算简单、物理概念
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所,西北工业大学微波教研室
【出 处】
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计算物理
【发表日期】
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2003年5期
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