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Vishay发布采用其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件Si7137DP，该20Vp通道MOSFET采用SO-8封装，具有1．9mΩ（在10V时）、2．5mΩ（在4．5V时）和3．9mΩ（在2．5V时）的超低导通电阻。TrenchFET第三代MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而确保器件可以比之前市面上p通道功率MOSFET更低的功耗执行切换任务。