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采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法在P型Si（100）衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下，c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上，生长所采用的锌源为二乙基锌（DEZn），氧源为氧气（O2）。通过X射线衍射（XRD）、光电子能谱（XPS）和荧光光（PL）谱研究了薄膜的结构和光学特性。研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性。此外，所生长n—ZnO／p—Si异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性，且反向漏电流很小。在620℃生长的异质结的漏电流相对最大，大于