【摘 要】
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传统栅控晶闸管（MCT）的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,东莞电子科技大学电子信息工程研究院
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传统栅控晶闸管（MCT）的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率（di/dt）较传统工艺所制造的器件提高15%,最大工作温度降低33%,热逸散速度提高36%。
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