三重扩散相关论文
本文对ＭＣＴ的核心工艺－三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。......
根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法－三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散法在......
介绍了利用硅片直接键合技术代替三重扩散，生产ＤＫ５５双极功率器件，实验说明ＳＤＢ片代替三重扩散无需长时间高温扩散，由于衬底材料质量好，器件特性......
传统栅控晶闸管（MCT）的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现......
本文介绍双极IC中自隔离的三重扩散(3D)技术的特点和工艺路线,给出了采用全离子注入工艺制作的器件特性,探讨了工艺技术中的关键问......
