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悬臂梁接触式RF MEMS开关的关键工艺研究

来源 :传感器与微系统 | 被引量 : 0次 | 上传用户：owennb1

【摘 要】

：

采用厚度为2μm的Au制作成共平面波导(CPW)、聚酰亚胺作为牺牲层、PECVD法淀积Si3N4薄膜作为悬臂梁,制作成悬臂梁接触式RF MEMS开关.着重对开关的关键工艺--CPW的Au剥离工艺

【出 处】

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传感器与微系统

【发表日期】

：

2009年9期

【关键词】

：

射频MEMS开关 剥离 悬臂梁 制作工艺 

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采用厚度为2μm的Au制作成共平面波导(CPW)、聚酰亚胺作为牺牲层、PECVD法淀积Si3N4薄膜作为悬臂梁,制作成悬臂梁接触式RF MEMS开关.着重对开关的关键工艺--CPW的Au剥离工艺和悬臂梁制作工艺进行研究,讨论了工艺中存在的问题及其解决方法.通过实验获得较佳的工艺参数,并制作出驱动电压为12～20 V的悬臂梁接触式RF MEMS开关.

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