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通过一系列实验，对聚焦离子束诱发MOCVD的成膜机理进行了研究，给出了淀积速率同离子束流等参数之间关系的理论模型．发现随着离子束流的增大，薄膜淀积速率增大，但并非完全线性增加，薄膜中的C／Pt比例也随之变化，薄膜电阻率则随之降低，最后趋向恒定．研究结果对实际工作中的工艺参数选取和薄膜电学性质的改进都有一定价值．