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成功地用深能级瞬态谱研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下的０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随着晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２ｅＶ，本工作也证明可以把量子点类比深中心进行研究。
InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒
【摘 要】
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成功地用深能级瞬态谱研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下的０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随着晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２ｅＶ，本工作也证明
【机 构】
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中国科学院半导体所
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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1997年4期
【基金项目】
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国家攀登计划,国家自然科学基金
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