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电子俘获势垒相关论文
InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒
成功地用深能级瞬态谱研究了InAs自组织生长的量子点电学性质,获得2.5原子层InAs量子点电子基态能级在GaAs导带底下的0.13eV,该量子点在荷电状态发生变化时......
期刊
量子点
DLTS
自组织生长
砷化铟
电子俘获势垒
quantum dots
DLTS
selforganized
InAs/GaAs.
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