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以碳纳米管取代铜TSV芯片效能更好
以碳纳米管取代铜TSV芯片效能更好
来源 :纳米科技 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xqdd520cn
【摘 要】
:
来自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大学(Chalmers University of Technology)的研究人员发现,以碳纳米管来填充采用硅穿孔技术(TSV)连结的3D芯片堆栈,效果会比铜来得更好。
【出 处】
:
纳米科技
【发表日期】
:
2011年6期
【关键词】
:
碳纳米管
3D芯片
TSV
铜
研究人员
穿孔技术
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来自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大学(Chalmers University of Technology)的研究人员发现,以碳纳米管来填充采用硅穿孔技术(TSV)连结的3D芯片堆栈,效果会比铜来得更好。
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