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介绍了一种用于ＧａＡｓ半导体探测器，以场效应管和集成运放为主要器件的低噪声的电荷灵敏前置放大器的设计。设计性能指标达到：电荷灵敏度２×１０＾１２Ｖ／Ｃ，等效噪声电荷〈１００（电子－空穴），上升时间〈１０ｎｓ。
用于GaAs半导体探测器的电荷灵敏前置放大器的设计
【摘 要】
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介绍了一种用于ＧａＡｓ半导体探测器，以场效应管和集成运放为主要器件的低噪声的电荷灵敏前置放大器的设计。设计性能指标达到：电荷灵敏度２×１０＾１２Ｖ／Ｃ，等效噪声电荷〈１００（电子－空穴），上升时间〈１０ｎｓ。
【机 构】
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中国科学技术大学近代物理系
【出 处】
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核电子学与探测技术
【发表日期】
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2000年2期
【基金项目】
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中国科学院和中国科学技术大学留学科研基金资助
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